Novi 32-gigabitni pomnilnik temelji na arhitekturi Charge Trap Flash (CTF), ki omogoča nadaljnjo izboljšanje proizvodne učinkovitosti in zmogljivosti pomnilnika. Samsung je prav tako napovedal, da bo izboljšanje proizvodnega procesa sčasoma omogočilo 40-, 30- in celo 20-nanometrske izdelke. (aNET)
http://www.samsung.com/PressCenter/PressRelease/PressRelease.asp?seq=20060911_0000286548/"">www.samsung.com/PressCenter/PressRelease/PressRelease.asp?seq=20060911_0000286548
